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CT-UNITE
Advanced GaN chip solutio

產(chǎn)品中心

圍繞化合物半導(dǎo)體材料,研制大規(guī)模模擬集成芯片,其中SDR SiP芯片、mini LED及第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN、SiC功率器件獲得數(shù)10項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利。

RF CHIP

射頻芯片

射頻芯片是移動(dòng)智能終端產(chǎn)品的核心組成部分,追求低功耗、高性能、低成本是其技術(shù)升級(jí)的主要驅(qū)動(dòng)力,公司多款射頻前端器件規(guī)模投放市場(chǎng)后得到客戶(hù)一致好評(píng),主要有Transceiver及射頻前端 [如功率放大器(PA)、天線(xiàn)開(kāi)關(guān)(Switch)、濾波器(Filter)、雙工器(Duplexer和Diplexer) 和低噪聲放大器(LNA)等]。

GaN & SiC

功率芯片

基于氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)化合物半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的低阻抗,高電子遷移率器件解決方案,為客戶(hù)定制各類(lèi)模塊及器件,主要用于光伏逆變器、電機(jī)控制、新能源汽車(chē),無(wú)線(xiàn)充電、中低壓快充等。

AI DS

人工智能動(dòng)力系統(tǒng)

基于人工智能大模型架構(gòu)的GaN高電子遷移可編程動(dòng)力系統(tǒng)芯片,公司科研團(tuán)隊(duì)連續(xù)三年獲得多項(xiàng)ICCV國(guó)際人工智能大賽二、三等獎(jiǎng),2024年獲得國(guó)際計(jì)算機(jī)視覺(jué)觸覺(jué)頂會(huì)CVPR 冠軍。

Mini LED

新一代顯示驅(qū)動(dòng)

Mini LED顯示驅(qū)動(dòng)芯片集成了高精度恒流控制、PWM產(chǎn)生和數(shù)字信號(hào)處理等部件, 是顯示屏成像系統(tǒng)的主要部分, 負(fù)責(zé)接收?qǐng)D像數(shù)據(jù)并轉(zhuǎn)換為PWM恒流驅(qū)動(dòng), 精確地控制相應(yīng)的LED灰度顯示。公司現(xiàn)有基于CPWM技術(shù)設(shè)計(jì)的大規(guī)模 8K Mini LED顯示高刷新芯片,矩陣式LED背光驅(qū)動(dòng)芯片,該技術(shù)領(lǐng)域獲得國(guó)內(nèi)60%以上發(fā)明專(zhuān)利。

Micro LED

微米發(fā)光

Micro LED,將LED背光源微縮化、矩陣化,致力于單獨(dú)驅(qū)動(dòng)無(wú)機(jī)自發(fā)件(自發(fā)光),讓產(chǎn)品壽命更長(zhǎng),Micro LED晶片長(zhǎng)度約1~10μm,僅為L(zhǎng)ED的1%,通過(guò)大規(guī)模轉(zhuǎn)移技術(shù),μm級(jí)三色RGB Micro LED被轉(zhuǎn)移到基板上,形成各種尺寸的Micro LED顯示屏。

關(guān)于我們

中科無(wú)線(xiàn)半導(dǎo)體,由中國(guó)科大校友團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦,具備多年化合物功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),是一家基于化合物材料研發(fā)及生產(chǎn)的高端模擬芯片設(shè)計(jì)公司。

公司概況

中科無(wú)線(xiàn)半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì) 2011 年組建于合肥,2018 年搬到廣東深圳,是一家軍民融合企業(yè),是中國(guó)科大校友團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦,由“第三代半導(dǎo)體”模擬芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的專(zhuān)家博導(dǎo)組成,包含 7 位教授及 11 位博士,獲得國(guó)防及民用專(zhuān)利 43 項(xiàng),累計(jì)發(fā)表論文 250 篇。團(tuán)隊(duì)來(lái)自各大軍工所及中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,具有豐富的化合物功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),研發(fā)的芯片包括 HEMT、PHEMT、GaN/SiC、Transceiver 通信芯片、mini LED、micro LED、化合物半導(dǎo)體外延材料研發(fā)及氧化鋁(AI2O3)材料生長(zhǎng)藍(lán)寶石襯底技術(shù)研制。產(chǎn)品主要應(yīng)用于、新能源、無(wú)人機(jī)、無(wú)人裝備、物聯(lián)網(wǎng)、顯示面板及快充等領(lǐng)域。

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發(fā)展歷程

2023年 砷化鎵/氮化鎵 HEMT/PHEMT、GaN外延,進(jìn)入量產(chǎn)階段;2023年MiniLED8通道芯片,驗(yàn)證片合格;研制48通道芯片;2022年SiP工藝設(shè)計(jì)及物聯(lián)網(wǎng)芯片、SiP封裝機(jī)圖像SOC+RFTransceiver實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);2019年研制光子微波連接器……

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公司榮譽(yù)

公司資質(zhì)為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè),國(guó)家級(jí)軟件企業(yè)。獲得專(zhuān)利100項(xiàng)、軟件著作權(quán)9項(xiàng)、警用探針、透明算法加密系統(tǒng)等獲得政府資助(500萬(wàn)元)。 榮獲中國(guó)半導(dǎo)體聯(lián)盟事單位,4G智能天線(xiàn)華為、中國(guó)移動(dòng)5G聯(lián)合創(chuàng)新中心合作伙伴...

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